MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB60R360P7ATMA1, VDSS 600 V, ID 9 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
214-4372
Nº ref. fabric.:
IPB60R360P7ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

600V CoolMOS P7

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

360mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

41W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.5mm

Anchura

9.27 mm

Longitud

10.02mm

Estándar de automoción

No

Este MOSFET Infineon 600V Cool MOS P7 de súper unión sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor RonxA de su clase y la carga de puerta (QG) inherentemente baja de la plataforma de generación Cool MOS™ 7th garantizan su alta eficiencia.

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