MOSFET, N-Canal Infineon IRFB4227PBF, VDSS 200 V, ID 65 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 650-4277
- Nº ref. fabric.:
- IRFB4227PBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,21 € |
| 10 - 24 | 2,09 € |
| 25 - 49 | 2,04 € |
| 50 - 99 | 1,92 € |
| 100 + | 1,75 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 650-4277
- Nº ref. fabric.:
- IRFB4227PBF
- Fabricante:
- Infineon
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 65A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 24mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -30V, +30V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 70nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 330W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 9.02mm | |
| Longitud | 10.66mm | |
| Anchura | 4.82mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 65A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 24mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -30V, +30V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 70nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 330W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 9.02mm | ||
Longitud 10.66mm | ||
Anchura 4.82mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de drenaje-fuente máxima de 200 V, corriente de drenaje continua máxima de 65 A - IRFB4227PBF
Características y ventajas:
• La disipación de potencia de 330 W permite una gestión sostenida de la carga térmica
• La carga de puerta de 70 nC permite transiciones de conmutación más rápidas
• La tolerancia de puerta de 30 V admite márgenes de accionamiento de puerta robustos
• La clasificación de –40 a 175 °C soporta amplios entornos operativos
Aplicaciones
• Ideal para fuentes de alimentación de modo conmutado y convertidores
• Se utiliza con sistemas de gestión de baterías y distribución de potencia
• Se puede utilizar para etapas de inversor industriales
• Adecuado para conmutación de alimentación de uso general en placas de orificio pasante
¿Cuál es el encapsulado y el estilo de montaje del dispositivo?
¿Qué temperaturas de funcionamiento extremas puede soportar?
¿Cómo aborda el dispositivo las restricciones de material normativas?
¿Cuál es el tipo de canal y el modo de conducción?
¿Cuáles son los límites de tensión de puerta y drenaje?
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