MOSFET, N-Canal Infineon IRFB4227PBF, VDSS 200 V, ID 65 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
650-4277
Nº ref. fabric.:
IRFB4227PBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

65A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

24mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-30V, +30V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

70nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Disipación de potencia máxima Pd

330W

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

9.02mm

Longitud

10.66mm

Anchura

4.82mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de drenaje-fuente máxima de 200 V, corriente de drenaje continua máxima de 65 A - IRFB4227PBF


Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N de alta corriente diseñado para la conmutación y el control de potencia en sistemas electrónicos exigentes. Funciona en un amplio rango de temperaturas y se suministra en un encapsulado TO-220 de orificio pasante adecuado para montaje en placa convencional. El dispositivo cumple los requisitos RoHS y está diseñado para aplicaciones que requieren un manejo de corriente continuo sustancial y una resistencia térmica.

Características y ventajas:


• La baja Rds(on) de 24 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La disipación de potencia de 330 W permite una gestión sostenida de la carga térmica
• La carga de puerta de 70 nC permite transiciones de conmutación más rápidas
• La tolerancia de puerta de 30 V admite márgenes de accionamiento de puerta robustos
• La clasificación de –40 a 175 °C soporta amplios entornos operativos

Aplicaciones


• Apto para controladores de motores de CC de alta corriente
• Ideal para fuentes de alimentación de modo conmutado y convertidores
• Se utiliza con sistemas de gestión de baterías y distribución de potencia
• Se puede utilizar para etapas de inversor industriales
• Adecuado para conmutación de alimentación de uso general en placas de orificio pasante

¿Cuál es el encapsulado y el estilo de montaje del dispositivo?


Se suministra en un encapsulado TO-220 y está diseñado para montaje en orificio pasante.

¿Qué temperaturas de funcionamiento extremas puede soportar?


Está diseñado para funcionar a temperaturas de –40 a 175 °C.

¿Cómo aborda el dispositivo las restricciones de material normativas?


Cumple las normas RoHS que limitan las sustancias peligrosas.

¿Cuál es el tipo de canal y el modo de conducción?


Se trata de un dispositivo de canal N que funciona en modo de mejora.

¿Cuáles son los límites de tensión de puerta y drenaje?


La puerta tiene un valor nominal de ±30 V y el máximo de drenaje a fuente es de 200 V.

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