MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 95 A, TO-220
- Código RS:
- 257-9364
- Nº ref. fabric.:
- IRFB7545PBF
- Fabricante:
- Infineon
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Disponible
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,50 € | 25,00 € |
| 100 - 200 | 0,39 € | 19,50 € |
| 250 - 450 | 0,365 € | 18,25 € |
| 500 - 1200 | 0,34 € | 17,00 € |
| 1250 + | 0,315 € | 15,75 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 257-9364
- Nº ref. fabric.:
- IRFB7545PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 95A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 15mΩ | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 95A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 15mΩ | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie IRFB de Infineon es el mosfet de potencia IRFET de un canal n de 60 V en un encapsulado TO 220. La potente familia de mosfet de potencia IRFET está optimizada para RDS(on) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez.
Encapsulado de alimentación de orificio pasante estándar del sector
Corriente nominal alta
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz
Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación anterior de silicio
Amplia cartera disponible