MOSFET, N-Canal Infineon IRFB7545PBF, VDSS 60 V, ID 95 A, Mejora, TO-220
- Código RS:
- 257-9365
- Nº ref. fabric.:
- IRFB7545PBF
- Fabricante:
- Infineon
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| 100 - 240 | 0,792 € | 7,92 € |
| 250 - 490 | 0,772 € | 7,72 € |
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- Código RS:
- 257-9365
- Nº ref. fabric.:
- IRFB7545PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 95A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.90mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 95A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.90mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de drenaje-fuente máxima de 60 V, corriente de drenaje continua máxima de 95 A - IRFB7545PBF
Este MOSFET es un transistor de potencia de canal N de orificio pasante diseñado para aplicaciones de conmutación y alta corriente. Funciona en modo de mejora y es adecuado para entornos que requieren un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El dispositivo se suministra en un encapsulado TO-220 y cumple los requisitos de la directiva RoHS, lo que lo convierte en adecuado para montajes donde se requiere la conformidad sin plomo.
Características y ventajas:
• Rds(on) de 5,9 mΩ que permite pérdidas de conducción más bajas
• Capacidad de conmutación de tensión media de 60 V Vds
• Corriente de drenaje continua de 95 A compatible con cargas de alta corriente
• Valor nominal de -55 a 175 °C para un funcionamiento a temperaturas ampliadas
• Tensión directa de 1,3 V que reduce la caída de conducción del diodo
• Capacidad de conmutación de tensión media de 60 V Vds
• Corriente de drenaje continua de 95 A compatible con cargas de alta corriente
• Valor nominal de -55 a 175 °C para un funcionamiento a temperaturas ampliadas
• Tensión directa de 1,3 V que reduce la caída de conducción del diodo
Aplicaciones
• Adecuado para fuentes de alimentación que requieren conmutación de alta corriente
• Ideal para la etapa de accionamiento de motor en controladores industriales
• Se utiliza con gestión térmica para circuitos de temperatura elevada
• Se puede utilizar para la sustitución de transistores de potencia de uso general
• Se utiliza para prototipos de orificio pasante y montajes duraderos
• Ideal para la etapa de accionamiento de motor en controladores industriales
• Se utiliza con gestión térmica para circuitos de temperatura elevada
• Se puede utilizar para la sustitución de transistores de potencia de uso general
• Se utiliza para prototipos de orificio pasante y montajes duraderos
¿Qué encapsulado y método de montaje utiliza?
Se suministra en un encapsulado TO-220 diseñado para montaje en orificio pasante.
¿Qué tipo de canal y modo de funcionamiento se ofrecen?
El dispositivo es un transistor de canal N que funciona en modo de mejora.
¿Es adecuado para los requisitos estándar de automoción?
No se especifica que cumpla las clasificaciones estándar de automoción.
¿Qué conformidad con la directiva medioambiental incluye?
El componente cumple la directiva RoHS sobre sustancias restringidas.