MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 200 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 145-9602
Nº ref. fabric.:: IRL1404ZPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 200 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.

Código RS:: 145-9602
Nº ref. fabric.:: IRL1404ZPBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	200A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	40V
	Serie	HEXFET
	Encapsulado	TO-220
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	3mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	230W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	16V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	75nC
	Tensión directa Vf	1.3V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Anchura	4.4mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	8.77mm
	Longitud	10.66mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 200A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V
	Serie HEXFET
	Encapsulado TO-220
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 230W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 16V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 75nC
	Tensión directa Vf 1.3V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Anchura 4.4mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 8.77mm
	Longitud 10.66mm
	Estándar de automoción No

Estado RoHS: No aplica

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 200 A, disipación de potencia máxima de 230 W - IRL1404ZPBF

Este MOSFET está diseñado para ofrecer un rendimiento de alta eficiencia en diversas aplicaciones, especialmente en automatización, electrónica e ingeniería eléctrica. Garantiza un funcionamiento fiable en condiciones extremas, algo crucial para los sistemas electrónicos avanzados. Su robusto diseño lo convierte en la opción preferida de los ingenieros que buscan optimizar las soluciones de gestión de la energía.

Características y ventajas

• Capaz de manejar corrientes de drenaje continuas de hasta 200 A

• La baja resistencia de drenaje-fuente aumenta la eficiencia

• Adecuado para altas velocidades de conmutación para reducir las pérdidas de energía

• Funciona en un amplio intervalo de temperaturas de -55 °C a +175 °C

• Ofrece una tensión umbral de puerta máxima de 2,7 V para mayor compatibilidad

• Diseñado en un encapsulado TO-220 con orificios pasantes para un montaje sencillo

Aplicaciones

• Se utiliza en amplificadores y convertidores de potencia

• Empleado en fuentes de alimentación conmutadas CC-CC

• Integrado en el circuito de control del motor

• Ideal para automoción y energías renovables

¿Cuál es la tensión máxima que puede soportar este componente?

Puede gestionar una tensión de drenaje-fuente máxima de 40 V.

¿Cómo afecta la tensión de umbral de puerta al funcionamiento?

Una tensión umbral de puerta de 2,7 V garantiza una activación eficaz del dispositivo, lo que permite un control preciso.

¿Puede utilizarse este componente en entornos de alta temperatura?

Sí, está preparado para funcionar hasta +175 °C, lo que lo hace adecuado para aplicaciones intensas.

¿Qué importancia tiene una resistencia de drenaje-fuente baja?

La baja resistencia minimiza las pérdidas de potencia, mejorando así la eficiencia global del sistema, especialmente con cargas de corriente elevadas.

MOSFET de rectificador síncrono ac-dc y control de motor, Infineon

MOSFET para control del motor

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Una cartera de dispositivos MOSFET de rectificación síncrona para fuentes de alimentación ac-dc admite la demanda de los clientes de una mayor densidad de potencia, menor tamaño, más portabilidad y sistemas más flexibles.

Transistores MOSFET, Infineon

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