MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRL1404ZPBF, VDSS 40 V, ID 200 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
688-7178
Nº ref. fabric.:
IRL1404ZPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

200A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

230W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

75nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

8.77mm

Longitud

10.66mm

Anchura

4.4 mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: No aplica

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 200 A, disipación de potencia máxima de 230 W - IRL1404ZPBF


Este MOSFET está diseñado para ofrecer un rendimiento de alta eficiencia en diversas aplicaciones, especialmente en automatización, electrónica e ingeniería eléctrica. Garantiza un funcionamiento fiable en condiciones extremas, algo crucial para los sistemas electrónicos avanzados. Su robusto diseño lo convierte en la opción preferida de los ingenieros que buscan optimizar las soluciones de gestión de la energía.

Características y ventajas


• Capaz de manejar corrientes de drenaje continuas de hasta 200 A

• La baja resistencia de drenaje-fuente aumenta la eficiencia

• Adecuado para altas velocidades de conmutación para reducir las pérdidas de energía

• Funciona en un amplio intervalo de temperaturas de -55 °C a +175 °C

• Ofrece una tensión umbral de puerta máxima de 2,7 V para mayor compatibilidad

• Diseñado en un encapsulado TO-220 con orificios pasantes para un montaje sencillo

Aplicaciones


• Se utiliza en amplificadores y convertidores de potencia

• Empleado en fuentes de alimentación conmutadas CC-CC

• Integrado en el circuito de control del motor

• Ideal para automoción y energías renovables

¿Cuál es la tensión máxima que puede soportar este componente?


Puede gestionar una tensión de drenaje-fuente máxima de 40 V.

¿Cómo afecta la tensión de umbral de puerta al funcionamiento?


Una tensión umbral de puerta de 2,7 V garantiza una activación eficaz del dispositivo, lo que permite un control preciso.

¿Puede utilizarse este componente en entornos de alta temperatura?


Sí, está preparado para funcionar hasta +175 °C, lo que lo hace adecuado para aplicaciones intensas.

¿Qué importancia tiene una resistencia de drenaje-fuente baja?


La baja resistencia minimiza las pérdidas de potencia, mejorando así la eficiencia global del sistema, especialmente con cargas de corriente elevadas.

MOSFET de rectificador síncrono ac-dc y control de motor, Infineon


MOSFET para control del motor


Infineon ofrece una cartera completa de dispositivos MOSFET de canal N y P resistentes para las aplicaciones de control de motor.

MOSFET de rectificador síncrono


Una cartera de dispositivos MOSFET de rectificación síncrona para fuentes de alimentación ac-dc admite la demanda de los clientes de una mayor densidad de potencia, menor tamaño, más portabilidad y sistemas más flexibles.

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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