MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 88 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
911-4899
Nº ref. fabric.:
IPP110N20N3GXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

88A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TO-220

Serie

OptiMOS 3

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

11mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

65nC

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.57 mm

Altura

9.45mm

Longitud

10.36mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
DE

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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