MOSFET Infineon IPB107N20N3GATMA1, VDSS 200 V, ID 88 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 754-5434
Nº ref. fabric.:: IPB107N20N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPB107N20N3GATMA1, VDSS 200 V, ID 88 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

827 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio Unidad

9,63 €

(exc. IVA)

11,65 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 - 9	9,63 €
10 - 24	8,67 €
25 - 49	8,19 €
50 - 99	7,61 €
100 +	7,03 €

Código RS:: 754-5434
Nº ref. fabric.:: IPB107N20N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	88 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	200 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Serie	OptiMOS™
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	11 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	300 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	65 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Ancho	9.45mm
Longitud	10.31mm
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Altura	4.57mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C