MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 88 A, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
214-4458
Nº ref. fabric.:
IRFS4410TRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

88A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

200W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

180nC

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Este Infineon HEXFET Power MOSFET tiene una resistencia dv/dt dinámica, de avalancha y puerta mejorada. Es adecuado para rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS.

No contiene halógenos conforme a IEC61249-2-21

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