MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFS4410TRLPBF, VDSS 100 V, ID 88 A, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 214-4459
- Nº ref. fabric.:
- IRFS4410TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 4,044 € | 20,22 € |
| 25 - 45 | 3,64 € | 18,20 € |
| 50 - 120 | 3,396 € | 16,98 € |
| 125 - 245 | 3,154 € | 15,77 € |
| 250 + | 2,952 € | 14,76 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-4459
- Nº ref. fabric.:
- IRFS4410TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 88A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 180nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 200W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 88A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 180nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 200W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Este Infineon HEXFET Power MOSFET tiene una resistencia dv/dt dinámica, de avalancha y puerta mejorada. Es adecuado para rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS.
No contiene halógenos conforme a IEC61249-2-21