MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP110N20N3GXKSA1, VDSS 200 V, ID 88 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

4,62 €

(exc. IVA)

5,59 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 116 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
  • Disponible(s) 113 unidad(es) más para enviar a partir del 27 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
1 - 44,62 €
5 - 94,48 €
10 - 144,40 €
15 - 244,26 €
25 +4,15 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
752-8381
Nº ref. fabric.:
IPP110N20N3GXKSA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

88A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Serie

OptiMOS 3

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

11mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

65nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.36mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.57 mm

Altura

9.45mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Enlaces relacionados