MOSFET Infineon IRFB4020PBF, VDSS 200 V, ID 18 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 688-6939
- Nº ref. fabric.:
- IRFB4020PBF
- Fabricante:
- Infineon
20 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
1,264 €
(exc. IVA)
1,529 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Pack* |
| 5 - 45 | 1,264 € | 6,32 € |
| 50 - 120 | 1,14 € | 5,70 € |
| 125 - 245 | 1,062 € | 5,31 € |
| 250 - 495 | 0,986 € | 4,93 € |
| 500 + | 0,924 € | 4,62 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 688-6939
- Nº ref. fabric.:
- IRFB4020PBF
- Fabricante:
- Infineon
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de audio digital, Infineon
Los amplificadores de clase D se están convirtiendo rápidamente en la solución preferida para sistemas de audio y vídeo tanto profesionales como domésticos. Infineon ofrece una gama completa que simplifica el diseño del amplificador de clase D de alta eficacia.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 18 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 200 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220AB |
| Serie | HEXFET |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 100 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4.9V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 3V |
| Disipación de Potencia Máxima | 100 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Longitud | 10.66mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Material del transistor | Si |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 18 nC a 10 V |
| Ancho | 4.82mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 9.02mm |
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