MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 45 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 145-8705
- Nº ref. fabric.:
- IPA086N10N3GXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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| 100 - 200 | 0,781 € | 39,05 € |
| 250 - 450 | 0,734 € | 36,70 € |
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- Código RS:
- 145-8705
- Nº ref. fabric.:
- IPA086N10N3GXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 45A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 15.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 37.5W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 42nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 16.15mm | |
| Longitud | 10.65mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 45A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 15.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 37.5W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 16.15mm | ||
Longitud 10.65mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corriente de drenaje continua máxima de 45 A, disipación de potencia máxima de 37,5 W - IPA086N10N3GXKSA1
Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento en automatización, electrónica e ingeniería eléctrica. Como transistor de potencia, mejora la gestión de la energía proporcionando una eficiencia y fiabilidad excelentes. Su diseño duradero admite conmutación de alta frecuencia, lo que lo hace adecuado para entornos en los que es esencial un rendimiento sólido.
Características y ventajas
• La configuración de canal N optimiza la gestión de la corriente
• La baja resistencia a la conexión aumenta la eficiencia general del sistema
• Funciona a temperaturas de hasta +175°C para aplicaciones adaptables
• El paquete totalmente aislado mejora la seguridad durante el funcionamiento
• Cumple las normas RoHS y de ausencia de halógenos para un uso respetuoso con el medio ambiente
Aplicaciones
• Ideal para conmutación de alta frecuencia en dispositivos electrónicos
• Se emplea en la rectificación síncrona para maximizar la eficiencia
• Adecuado para que requieran un elevado consumo de corriente
• Eficaz en entornos sensibles a la temperatura gracias a su sólido rendimiento térmico
¿Qué significa la baja resistencia a la conexión de este dispositivo?
La baja resistencia a la conexión reduce las pérdidas de potencia durante el funcionamiento, lo que mejora la eficiencia de los circuitos de gestión de potencia. El resultado es una menor generación de calor y un mayor rendimiento general.
¿Puede utilizarse este MOSFET en aplicaciones de automoción?
Sí, es apropiado para aplicaciones de automoción, ya que cumple los requisitos de rendimiento a altas temperaturas y proporciona un funcionamiento fiable en condiciones de carga variables.
¿Cómo influye la tensión umbral de puerta en el funcionamiento del circuito?
La tensión de umbral de puerta determina cuándo el MOSFET comienza a conducir. En este caso, oscila entre 2 V y 3,5 V, lo que garantiza que la activación sólo se produzca bajo niveles de tensión adecuados, protegiendo así otros componentes.
¿Qué tipos de circuitos son más compatibles con este transistor de potencia?
Este transistor de potencia es compatible con circuitos de conmutación de alta frecuencia y aplicaciones de rectificación síncrona, ofreciendo versatilidad para diversos diseños electrónicos.
¿Cómo debe montarse el MOSFET para obtener un rendimiento óptimo?
El MOSFET debe montarse utilizando el método de orificio pasante para garantizar unas conexiones seguras y una disipación eficaz del calor en función de sus especificaciones de resistencia térmica.
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