MOSFET Infineon IPP530N15N3GXKSA1, VDSS 150 V, ID 21 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Documentación Técnica

Producto Descatalogado

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	21 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	150 V
Tipo de Encapsulado	TO-220
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	53 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	68 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	8,7 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	10.36mm
Ancho	4.57mm
Material del transistor	Si
Serie	OptiMOS 3
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	1.2V
Altura	15.95mm