MOSFET Infineon BSC520N15NS3GATMA1, VDSS 150 V, ID 21 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 754-5323
Nº ref. fabric.:: BSC520N15NS3GATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSC520N15NS3GATMA1, VDSS 150 V, ID 21 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

4812 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 2)

0,485 €

(exc. IVA)

0,587 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
2 +	0,485 €	0,97 €

*precio indicativo

Código RS:: 754-5323
Nº ref. fabric.:: BSC520N15NS3GATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	21 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	150 V
Tipo de Encapsulado	TDSON
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	52 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	57 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Longitud	5.35mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	8,7 nC a 10 V
Ancho	6.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.1mm