MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPI086N10N3GXKSA1, VDSS 100 V, ID 80 A, Mejora, TO-262 de 3 pines

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Código RS:
145-9306
Nº ref. fabric.:
IPI086N10N3GXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

80A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-262

Serie

OptiMOS 3

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

15.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

42nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

4.57 mm

Altura

11.177mm

Longitud

10.36mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corriente de drenaje continua máxima de 80 A, disipación de potencia máxima de 125 W - IPI086N10N3GXKSA1


Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia y es adecuado para diversos sectores, como la automatización y la electrónica. Con una corriente de drenaje continua de 80 A y una tensión de drenaje-fuente máxima de 100 V, ofrece una solución fiable y eficiente para sistemas electrónicos.

Características y ventajas


• El diseño de canal N optimiza el rendimiento eléctrico

• El bajo RDS(on) reduce las pérdidas de potencia

• Alta capacidad de disipación de energía para aplicaciones intensivas

• El umbral de puerta mejorado aumenta la eficiencia de la conmutación

• El montaje con orificios pasantes permite una fácil integración en los circuitos

Aplicaciones


• Se utiliza para la conmutación de alta frecuencia en fuentes de alimentación

• Facilita la rectificación síncrona en circuitos convertidores

• Adecuado para sistemas de automatización industrial que requieren un control eficiente de la potencia

• Se aplica en diversos dispositivos electrónicos para mejorar la eficiencia energética

• Apropiado para automoción exigir un rendimiento constante

¿Cuál es el significado del bajo RDS(on) en este dispositivo?


El bajo valor RDS(on) minimiza las pérdidas de energía durante la conmutación, lo que aumenta el rendimiento general del sistema.

¿Cómo soporta el MOSFET las altas temperaturas?


Está diseñado para funcionar a temperaturas de hasta 175 °C, lo que garantiza un rendimiento constante incluso en condiciones ambientales difíciles.

¿Qué tipo de montaje requiere este componente?


Presenta un diseño de montaje con orificios pasantes que facilita la integración directa en los diseños de placas de circuito impreso existentes.

¿Es adecuado para su uso en rectificación síncrona?


Sí, está diseñado específicamente para la rectificación síncrona eficiente en electrónica de potencia, fomentando el ahorro energético global.

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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