MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPI80N06S4L07AKSA2, VDSS 60 V, ID 80 A, Mejora, TO-262 de 3 pines

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Código RS:
214-9068
Nº ref. fabric.:
IPI80N06S4L07AKSA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

80A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-262

Serie

OptiMOS-T2

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

79W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

58nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.4 mm

Longitud

10.2mm

Altura

23.45mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

La gama Infineon de nuevos OptiMOS -T2 tiene una gama de transistores MOSFET de bajo consumo con reducción de CO2 y accionamientos eléctricos. La nueva familia de productos OptiMOS -T2 amplía las familias existentes de OptiMOS -T y OptiMOS. Los productos OptiMOS están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para hacer frente a las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona una flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

El producto tiene certificación AEC Q101

Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.

Prueba de avalancha al 100 %

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