MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPI80N06S4L07AKSA2, VDSS 60 V, ID 80 A, Mejora, TO-262 de 3 pines
- Código RS:
- 214-9068
- Nº ref. fabric.:
- IPI80N06S4L07AKSA2
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,592 € | 5,92 € |
| 50 - 90 | 0,563 € | 5,63 € |
| 100 - 240 | 0,539 € | 5,39 € |
| 250 - 490 | 0,515 € | 5,15 € |
| 500 + | 0,48 € | 4,80 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-9068
- Nº ref. fabric.:
- IPI80N06S4L07AKSA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 80A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-262 | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 79W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 58nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 23.45mm | |
| Longitud | 10.2mm | |
| Anchura | 4.4 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 80A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-262 | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 79W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 58nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 23.45mm | ||
Longitud 10.2mm | ||
Anchura 4.4 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
La gama Infineon de nuevos OptiMOS -T2 tiene una gama de transistores MOSFET de bajo consumo con reducción de CO2 y accionamientos eléctricos. La nueva familia de productos OptiMOS -T2 amplía las familias existentes de OptiMOS -T y OptiMOS. Los productos OptiMOS están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para hacer frente a las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona una flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.
El producto tiene certificación AEC Q101
Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.
Prueba de avalancha al 100 %
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