MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPI120N08S403AKSA1, VDSS 80 V, ID 120 A, Mejora, TO-262 de 3 pines
- Código RS:
- 214-9064
- Nº ref. fabric.:
- IPI120N08S403AKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
38,12 €
(exc. IVA)
46,125 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Disponible(s) 500 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 7,624 € | 38,12 € |
| 10 - 95 | 6,992 € | 34,96 € |
| 100 - 245 | 6,45 € | 32,25 € |
| 250 - 495 | 5,984 € | 29,92 € |
| 500 + | 5,824 € | 29,12 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-9064
- Nº ref. fabric.:
- IPI120N08S403AKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Legislación y Conformidad
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 120A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | IPI | |
| Encapsulado | TO-262 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 128nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 278W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 23.45mm | |
| Longitud | 10.2mm | |
| Anchura | 4.4 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 120A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie IPI | ||
Encapsulado TO-262 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 128nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 278W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 23.45mm | ||
Longitud 10.2mm | ||
Anchura 4.4 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TO-262 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-262 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-262 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-262 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-262 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-262 de 3 pines
- MOSFET Infineon IPI80N04S403AKSA1 ID 80 A , config. Simple
- MOSFET Infineon IPI80N06S208AKSA1 ID 80 A , config. Simple
