MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSS215PH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 1.18 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 145-9489
- Nº ref. fabric.:
- BSS215PH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (3000 unidades, en bobina de 3000)*
288,00 €
(exc. IVA)
348,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 6000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,096 € | 288,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 145-9489
- Nº ref. fabric.:
- BSS215PH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.18A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 280mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | -1.1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -12, +12V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.6nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Altura | 1mm | |
| Anchura | 1.3mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.18A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie OptiMOS P | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 280mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf -1.1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -12, +12V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.6nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 2.9mm | ||
Altura 1mm | ||
Anchura 1.3mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de la serie OptiMOS P de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 20 V, resistencia de fuente de drenaje máxima de 280 mΩ - BSS215PH6327XTSA1
Este MOSFET es un transistor de mejora de canal P diseñado para aplicaciones de montaje en superficie en sistemas electrónicos exigentes. Proporciona una funcionalidad de conmutación controlada para circuitos de baja tensión, funcionando en un amplio rango ambiental para adaptarse a condiciones industriales y de automoción, y está alojado en un encapsulado SOT-23 compacto para diseños con limitaciones de espacio.
Características y ventajas:
• La baja resistencia de encendido de 280 mΩ reduce las pérdidas por conducción y las necesidades de disipación térmica
• La corriente de drenaje máxima de 1,18 A admite capacidad de conmutación de carga moderada
• La tensión nominal de drenaje-fuente de 20 V permite un funcionamiento seguro en sistemas de 12 V
• La carga de puerta típica de 3,6 nC permite una conmutación más rápida con menor energía de accionamiento
• La disipación de potencia de 500 mW limita la tensión térmica en diseños de baja potencia
• La tolerancia nominal de puerta-fuente de 12 V garantiza la resistencia al sobreaccionamiento de la puerta
• La corriente de drenaje máxima de 1,18 A admite capacidad de conmutación de carga moderada
• La tensión nominal de drenaje-fuente de 20 V permite un funcionamiento seguro en sistemas de 12 V
• La carga de puerta típica de 3,6 nC permite una conmutación más rápida con menor energía de accionamiento
• La disipación de potencia de 500 mW limita la tensión térmica en diseños de baja potencia
• La tolerancia nominal de puerta-fuente de 12 V garantiza la resistencia al sobreaccionamiento de la puerta
Aplicaciones
• Apto para conmutación de lado alto en sistemas de gestión de baterías
• Ideal para la desconexión de carga en circuitos auxiliares de automoción
• Se utiliza para el control de convertidores dc-dc en fuentes de alimentación compactas
• Puede utilizarse para protección contra polaridad inversa en instalaciones de 12 V
• Adecuado para la conmutación de nivel de señal en módulos de interfaz de sensor
• Ideal para la desconexión de carga en circuitos auxiliares de automoción
• Se utiliza para el control de convertidores dc-dc en fuentes de alimentación compactas
• Puede utilizarse para protección contra polaridad inversa en instalaciones de 12 V
• Adecuado para la conmutación de nivel de señal en módulos de interfaz de sensor
¿Qué intervalo de temperatura puede tolerar durante el funcionamiento?
Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, adaptándose a entornos térmicos extremos.
¿Cómo está encapsulado el dispositivo para el montaje en PCB?
Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie SOT-23 diseñado para la colocación y la soldadura automatizadas de PCB.
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta debo tener en cuenta?
El dispositivo acepta hasta 12 V entre la puerta y la fuente
los circuitos de accionamiento de puerta de seguridad limitan las excursiones dentro de este umbral.
¿Es adecuado el dispositivo para la certificación de automoción?
Cumple los estándares AEC-Q101 adecuados para muchos diseños electrónicos de automoción.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines