MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFH60N65X2, VDSS 650 V, ID 60 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
146-4234
Nº ref. fabric.:
IXFH60N65X2
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

HiperFET

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

52mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

108nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

780W

Tensión directa Vf

1.4V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

21.34mm

Anchura

5.21 mm

Longitud

16.13mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

R y Q baja

Avalancha nominal

Baja inductancia de encapsulado

Ventajas

Alta densidad de potencia

Fácil de montar

Ahorro de espacio

Aplicaciones

Fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante

Convertidores dc-dc

Circuitos PFC

Accionadores de motores ac y dc

Robótica y servocontroles

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