MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFN90N85X, VDSS 850 V, ID 90 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines

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Código RS:
146-4248
Nº ref. fabric.:
IXFN90N85X
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

90A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

850V

Encapsulado

SOT-227

Serie

HiperFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

41mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

340nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

1.2kW

Tensión directa Vf

1.4V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

25.07 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

38.23mm

Altura

9.6mm

Estándar de automoción

No

Los MOSFET de alimentación de 850 V Ultra-Junction X-Class con diodos de cuerpo rápido constituyen una nueva gama de semiconductores de alimentación de IXYS Corporation. Estos resistentes dispositivos ofrecen las resistencias en funcionamiento más bajas del sector, lo que permite una densidad de potencia muy alta en aplicaciones de conversión de potencia de alta tensión. Desarrollados con el principio de compensación de carga y una tecnología de proceso patentada, los nuevos dispositivos de 850 V ofrecen las resistencias en funcionamiento más bajas (33 miliohmios en el encapsulado SOT-227 y 41 miliohmios en el PLUS264, por ejemplo), así como cargas de compuerta bajas y un rendimiento de dv/dt superior.

Niveles ultrabajos de resistencia en funcionamiento (RDS (ON)) y carga de compuerta (Qg)

Diodo de cuerpo rápido

Resistencia a dv/dt

Avalancha nominal

Baja inductancia de encapsulado

Encapsulados estándar internacionales

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