MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFN110N85X, VDSS 850 V, ID 110 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- Código RS:
- 146-4249
- Nº ref. fabric.:
- IXFN110N85X
- Fabricante:
- IXYS
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- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 110A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 850V | |
| Serie | HiperFET | |
| Encapsulado | SOT-227 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 33mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 425nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.17kW | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 38.23mm | |
| Altura | 9.6mm | |
| Anchura | 25.07 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 110A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 850V | ||
Serie HiperFET | ||
Encapsulado SOT-227 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 33mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 425nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.17kW | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 38.23mm | ||
Altura 9.6mm | ||
Anchura 25.07 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de alimentación de 850 V Ultra-Junction X-Class con diodos de cuerpo rápido constituyen una nueva gama de semiconductores de alimentación de IXYS Corporation. Estos resistentes dispositivos ofrecen las resistencias en funcionamiento más bajas del sector, lo que permite una densidad de potencia muy alta en aplicaciones de conversión de potencia de alta tensión. Desarrollados con el principio de compensación de carga y una tecnología de proceso patentada, los nuevos dispositivos de 850 V ofrecen las resistencias en funcionamiento más bajas (33 miliohmios en el encapsulado SOT-227 y 41 miliohmios en el PLUS264, por ejemplo), así como cargas de compuerta bajas y un rendimiento de dv/dt superior.
Niveles ultrabajos de resistencia en funcionamiento (RDS (ON)) y carga de compuerta (Qg)
Diodo de cuerpo rápido
Resistencia a dv/dt
Avalancha nominal
Baja inductancia de encapsulado
Encapsulados estándar internacionales
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