MOSFET Nexperia PMV280ENEAR, VDSS 100 V, ID 1 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de canal N de 75 V - 200 V, Acaba de acceder a una de las carteras de MOS estándar más avanzadas del mundo, ¿Busca MOSFET de alta fiabilidad en el rango de 75 V a 200 V que simplifiquen el diseño? Nuestros dispositivos son perfectos para aplicaciones de espacio y potencia críticos y proporcionan un excelente rendimiento de conmutación y área de funcionamiento seguro (SOA) líder de su clase. Por ejemplo, nuestra gama de MOSFET de potencia LFPAK ofrece RDSon ultra bajo, conmutación de alta velocidad y tensiones nominales de hasta 200 V.

MOSFET Trench de canal N, 100 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) SOT23 (TO-236AB) pequeño que utiliza tecnología Trench MOSFET.

Compatible con nivel lógico
Conmutación muy rápida
Tecnología MOSFET Trench
Protección contra descargas electrostáticas (ESD) > 2 kV HBM
Certificación AEC-Q101
Controlador de relé
Controlador de línea de alta velocidad
Interruptor de carga de lado bajo
Circuitos de conmutación