MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 20 V, ID 6.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
153-0718
Nº ref. fabric.:
PMV20XNEAR
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

34mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

6.94W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.9nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

1.4 mm

Altura

1mm

Longitud

3mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET Trench de canal N, 20 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) SOT23 (TO-236AB) pequeño que utiliza tecnología Trench MOSFET

Baja tensión de umbral

Conmutación muy rápida

Tecnología MOSFET Trench

Protección contra descargas electrostáticas (ESD) > 2 kV HBM

Certificación AEC-Q101

Controlador de relé

Controlador de línea de alta velocidad

Interruptor de carga de lado bajo

Circuitos de conmutación

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