MOSFET Wolfspeed, Tipo N-Canal CAS120M12BM2, VDSS 1.2 kV, ID 193 A, Mejora de 7 pines, config. Serie
- Código RS:
- 162-9720
- Nº ref. fabric.:
- CAS120M12BM2
- Fabricante:
- Wolfspeed
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- CAS120M12BM2
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- Wolfspeed
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Wolfspeed | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 193A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1.2kV | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 30mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 925W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 378nC | |
| Tensión directa Vf | 2.4V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Serie | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 106.4mm | |
| Anchura | 61.4 mm | |
| Altura | 30mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Wolfspeed | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 193A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1.2kV | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 30mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 925W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 378nC | ||
Tensión directa Vf 2.4V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Serie | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 106.4mm | ||
Anchura 61.4 mm | ||
Altura 30mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Módulos MOSFET de alimentación de carburo de silicio Wolfspeed
Módulos MOSFET de alimentación de carburo de silicio de Wolfspeed, de la división de soluciones de alimentación de Cree Inc. Estos módulos MOSFET SiC se alojan en encapsulados estándares industriales y están disponibles en formato de medio puente (2 MOSFET) y trifásico (6 MOSFET); también incluyen diodos de recuperación inversa SiC. Entre las aplicaciones típicas se incluyen: calefacción por inducción, inversores eólicos y solares, convertidores DC-DC, PFC trifásico, unidades de regeneración de línea, SAI y SMPS, unidades de motor y cargadores de batería.
• La corriente de recuperación inversa del diodo y la corriente de cola de apagado MOSFET son de valor efectivo cero.
• Funcionamiento a alta frecuencia con pérdida ultrabaja
• Fácil conexión en paralelo gracias a las características SiC
• Funcionamiento redundante a fallos, normalmente apagado
• Placa base de cobre y aislador de nitruro de aluminio que reducen los requisitos térmicos
Transistores MOSFET, Wolfspeed
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