MOSFET Wolfspeed, Tipo N-Canal, VDSS 1.2 kV, ID 193 A, Mejora de 7 pines, config. Serie
- Código RS:
- 916-3879
- Nº ref. fabric.:
- CAS120M12BM2
- Fabricante:
- Wolfspeed
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Unidad(es) | Por unidad |
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- Código RS:
- 916-3879
- Nº ref. fabric.:
- CAS120M12BM2
- Fabricante:
- Wolfspeed
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Wolfspeed | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 193A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1.2kV | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 30mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 378nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 925W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Tensión directa Vf | 2.4V | |
| Configuración de transistor | Serie | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 30mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 61.4 mm | |
| Longitud | 106.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Wolfspeed | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 193A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1.2kV | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 30mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 378nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 925W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Tensión directa Vf 2.4V | ||
Configuración de transistor Serie | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 30mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 61.4 mm | ||
Longitud 106.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Módulos MOSFET de alimentación de carburo de silicio Wolfspeed
Módulos MOSFET de alimentación de carburo de silicio de Wolfspeed, de la división de soluciones de alimentación de Cree Inc. Estos módulos MOSFET SiC se alojan en encapsulados estándares industriales y están disponibles en formato de medio puente (2 MOSFET) y trifásico (6 MOSFET); también incluyen diodos de recuperación inversa SiC. Entre las aplicaciones típicas se incluyen: calefacción por inducción, inversores eólicos y solares, convertidores DC-DC, PFC trifásico, unidades de regeneración de línea, SAI y SMPS, unidades de motor y cargadores de batería.
• La corriente de recuperación inversa del diodo y la corriente de cola de apagado MOSFET son de valor efectivo cero.
• Funcionamiento a alta frecuencia con pérdida ultrabaja
• Fácil conexión en paralelo gracias a las características SiC
• Funcionamiento redundante a fallos, normalmente apagado
• Placa base de cobre y aislador de nitruro de aluminio que reducen los requisitos térmicos
Transistores MOSFET, Wolfspeed
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