MOSFET Wolfspeed CAS300M12BM2, VDSS 1.200 V, ID 404 A, Medio puente de 7 pines, 2elementos, config. Serie

Código RS:: 916-3872
Nº ref. fabric.:: CAS300M12BM2
Fabricante:: Wolfspeed

MOSFET Wolfspeed CAS300M12BM2, VDSS 1.200 V, ID 404 A, Medio puente de 7 pines, 2elementos, config. Serie

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Precio Unidad

843,74 €

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1.020,93 €

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Código RS:: 916-3872
Nº ref. fabric.:: CAS300M12BM2
Fabricante:: Wolfspeed

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Módulos MOSFET de alimentación de carburo de silicio Wolfspeed

Módulos MOSFET de alimentación de carburo de silicio de Wolfspeed, de la división de soluciones de alimentación de Cree Inc. Estos módulos MOSFET SiC se alojan en encapsulados estándares industriales y están disponibles en formato de medio puente (2 MOSFET) y trifásico (6 MOSFET); también incluyen diodos de recuperación inversa SiC. Entre las aplicaciones típicas se incluyen: calefacción por inducción, inversores eólicos y solares, convertidores DC-DC, PFC trifásico, unidades de regeneración de línea, SAI y SMPS, unidades de motor y cargadores de batería.

• La corriente de recuperación inversa del diodo y la corriente de cola de apagado MOSFET son de valor efectivo cero.
• Funcionamiento a alta frecuencia con pérdida ultrabaja
• Fácil conexión en paralelo gracias a las características SiC
• Funcionamiento redundante a fallos, normalmente apagado
• Placa base de cobre y aislador de nitruro de aluminio que reducen los requisitos térmicos

Transistores MOSFET, Wolfspeed

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	404 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	1.200 V
Tipo de Encapsulado	Medio puente
Tipo de Montaje	Montaje roscado
Conteo de Pines	7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	9,8 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.3V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.8V
Disipación de Potencia Máxima	1,66 kW
Configuración de transistor	Serie
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-10 V, +25 V
Número de Elementos por Chip	2
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	61.4mm
Material del transistor	SiC
Longitud	106.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	1025 nC a 20 V, 1025 nC a 5 V
Altura	30mm
Tensión de diodo directa	2.5V