MOSFET, Tipo N-Canal Texas Instruments, VDSS 100 V, ID 272 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
162-9739
Nº ref. fabric.:
CSD19536KTTT
Fabricante:
Texas Instruments
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Marca

Texas Instruments

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

272A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

NexFET

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

118nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

4.83mm

Anchura

9.65 mm

Longitud

10.67mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH

MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments


Transistores MOSFET, Texas Instruments


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