MOSFET Texas Instruments CSD18536KTTT, VDSS 60 V, ID 349 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Marca

Texas Instruments

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

349 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Serie

NexFET

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2,2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.4V

Disipación de Potencia Máxima

375 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Longitud

10.67mm

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

11.33mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

230 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Tensión de diodo directa

1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

4.83mm