MOSFET, Tipo P-Canal STMicroelectronics, VDSS 40 V, ID 10 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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Código RS:
165-5564
Nº ref. fabric.:
STS10P4LLF6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

10A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

STripFET

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

20mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

34nC

Tensión directa Vf

-1.1V

Disipación de potencia máxima Pd

2.7W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.5mm

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics


Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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