MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -30 V, ID -3.6 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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Código RS:
262-6741
Nº ref. fabric.:
IRF7606TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

-3.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-30V

Serie

HEXFET

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

150mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

1.8W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia Infineon tiene una carga de puerta a drenaje baja para reducir las pérdidas de conmutación. Es adecuado para usar con convertidores dc-dc de alta frecuencia.

Tensión y corriente de avalancha completamente caracterizadas

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