MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 10.5 A, Mejora, SOIC de 8 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 4000 unidades)*

2.104,00 €

(exc. IVA)

2.544,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Últimas existencias de RS
  • Última(s) 4000 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
4000 +0,526 €2.104,00 €

*precio indicativo

Código RS:
168-7928
Nº ref. fabric.:
IRF7240TRPBF
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

10.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SOIC

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

25mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

73nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Altura

1.5mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 10,5 A, tensión de fuente de drenaje máxima de 40 V - IRF7240TRPBF


Este MOSFET de canal P destaca en soluciones de gestión de potencia. Con una corriente de drenaje continua máxima de 10,5 A y una capacidad de tensión de drenaje-fuente de 40 V, está diseñado para montaje en superficie en un encapsulado SOIC compacto. Con unas medidas de 5 mm de largo, 4 mm de ancho y 1,5 mm de alto, es adecuado para diversas aplicaciones electrónicas, incluidos los sistemas de gestión de baterías.

Características y ventajas


• Admite cargas de alta corriente de hasta 10,5 A, ideal para tareas exigentes

• Funciona eficazmente en modo de mejora para mejorar el control

• Diseñado para el rendimiento térmico con un marco de plomo personalizado

• Adecuado para múltiples aplicaciones, ahorra espacio a bordo

• Compatible con procesos de soldadura estándar como infrarrojos y onda

Aplicaciones


• Utilizado en sistemas de gestión de baterías para controlar el rendimiento

• Se utiliza en circuitos de gestión de carga que requieren una manipulación eficaz de la potencia

• Adecuado para automóviles en los que el espacio y la eficiencia son fundamentales

• Fuentes de alimentación integradas para un manejo fiable de la carga

¿Cuáles son las principales características térmicas de este dispositivo?


El dispositivo presenta unas características térmicas mejoradas gracias a su diseño personalizado del leadframe, lo que le permite funcionar cómodamente dentro de un rango de temperatura de unión de -55°C a +150°C.

¿Cómo afecta la resistencia a la conexión al rendimiento general?


Con un Rds(on) excepcionalmente bajo de sólo 25mΩ, este MOSFET reduce significativamente las pérdidas de potencia durante el funcionamiento, aumentando la eficiencia de los circuitos de potencia y mejorando la disipación del calor.

¿Se puede utilizar en aplicaciones de alta frecuencia?


Sí, los parámetros del dispositivo, como la carga de puerta típica de 73 nC a 10 V, permiten un funcionamiento eficaz en aplicaciones de alta frecuencia, lo que lo hace adecuado para diversos dispositivos electrónicos.

¿Qué hay que tener en cuenta para un uso óptimo en los circuitos?


Es esencial garantizar que la tensión puerta-fuente permanezca dentro de los límites máximos de ±20 V para evitar daños, manteniendo así la fiabilidad y el rendimiento del dispositivo en la aplicación.

Enlaces relacionados