MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRF7240TRPBF, VDSS 40 V, ID 10.5 A, Mejora, SOIC de 8 pines

Código RS:: 826-8835
Nº ref. fabric.:: IRF7240TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRF7240TRPBF, VDSS 40 V, ID 10.5 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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Código RS:: 826-8835
Nº ref. fabric.:: IRF7240TRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	10.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	40V
	Serie	HEXFET
	Encapsulado	SOIC
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	25mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	73nC
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd	2.5W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	5mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	1.5mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 10.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V
	Serie HEXFET
	Encapsulado SOIC
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 25mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 73nC
	Tensión directa Vf -1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd 2.5W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 5mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 1.5mm
	Estándar de automoción No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 10,5 A, tensión de fuente de drenaje máxima de 40 V - IRF7240TRPBF

Este MOSFET de canal P destaca en soluciones de gestión de potencia. Con una corriente de drenaje continua máxima de 10,5 A y una capacidad de tensión de drenaje-fuente de 40 V, está diseñado para montaje en superficie en un encapsulado SOIC compacto. Con unas medidas de 5 mm de largo, 4 mm de ancho y 1,5 mm de alto, es adecuado para diversas aplicaciones electrónicas, incluidos los sistemas de gestión de baterías.

Características y ventajas

• Admite cargas de alta corriente de hasta 10,5 A, ideal para tareas exigentes

• Funciona eficazmente en modo de mejora para mejorar el control

• Diseñado para el rendimiento térmico con un marco de plomo personalizado

• Adecuado para múltiples aplicaciones, ahorra espacio a bordo

• Compatible con procesos de soldadura estándar como infrarrojos y onda

Aplicaciones

• Utilizado en sistemas de gestión de baterías para controlar el rendimiento

• Se utiliza en circuitos de gestión de carga que requieren una manipulación eficaz de la potencia

• Adecuado para automóviles en los que el espacio y la eficiencia son fundamentales

• Fuentes de alimentación integradas para un manejo fiable de la carga

¿Cuáles son las principales características térmicas de este dispositivo?

El dispositivo presenta unas características térmicas mejoradas gracias a su diseño personalizado del leadframe, lo que le permite funcionar cómodamente dentro de un rango de temperatura de unión de -55°C a +150°C.

¿Cómo afecta la resistencia a la conexión al rendimiento general?

Con un Rds(on) excepcionalmente bajo de sólo 25mΩ, este MOSFET reduce significativamente las pérdidas de potencia durante el funcionamiento, aumentando la eficiencia de los circuitos de potencia y mejorando la disipación del calor.

¿Se puede utilizar en aplicaciones de alta frecuencia?

Sí, los parámetros del dispositivo, como la carga de puerta típica de 73 nC a 10 V, permiten un funcionamiento eficaz en aplicaciones de alta frecuencia, lo que lo hace adecuado para diversos dispositivos electrónicos.

¿Qué hay que tener en cuenta para un uso óptimo en los circuitos?

Es esencial garantizar que la tensión puerta-fuente permanezca dentro de los límites máximos de ±20 V para evitar daños, manteniendo así la fiabilidad y el rendimiento del dispositivo en la aplicación.