MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRF7606TRPBF, VDSS -30 V, ID -3.6 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
262-6742
Nº ref. fabric.:
IRF7606TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

-3.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-30V

Encapsulado

SOIC

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

150mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Disipación de potencia máxima Pd

1.8W

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia Infineon tiene una carga de puerta a drenaje baja para reducir las pérdidas de conmutación. Es adecuado para usar con convertidores dc-dc de alta frecuencia.

Tensión y corriente de avalancha completamente caracterizadas

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