MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 6.9 A, Mejora, TSOP de 6 pines
- Código RS:
- 165-5841
- Nº ref. fabric.:
- IRLTS2242TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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*precio indicativo
- Código RS:
- 165-5841
- Nº ref. fabric.:
- IRLTS2242TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TSOP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 55mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3mm | |
| Anchura | 1.75 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TSOP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 55mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3mm | ||
Anchura 1.75 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de potencia de canal P, de 12 V a 20 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Transistores MOSFET, Infineon
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