MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRFTS9342TRPBF, VDSS 30 V, ID 5.8 A, Mejora, TSOP de 6 pines
- Código RS:
- 907-5151
- Número de artículo Distrelec:
- 304-44-469
- Nº ref. fabric.:
- IRFTS9342TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 50 unidades)*
19,70 €
(exc. IVA)
23,85 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas existencias de RS
- Última(s) 2200 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 0,394 € | 19,70 € |
| 250 - 450 | 0,232 € | 11,60 € |
| 500 - 1200 | 0,217 € | 10,85 € |
| 1250 - 2450 | 0,201 € | 10,05 € |
| 2500 + | 0,185 € | 9,25 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 907-5151
- Número de artículo Distrelec:
- 304-44-469
- Nº ref. fabric.:
- IRFTS9342TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TSOP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 66mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.75 mm | |
| Altura | 1.3mm | |
| Longitud | 3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TSOP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 66mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.75 mm | ||
Altura 1.3mm | ||
Longitud 3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 5,8 A, disipación de potencia máxima de 2 W - IRFTS9342TRPBF
Este MOSFET está diseñado para ofrecer una alta eficiencia en diversas aplicaciones, desempeñando un papel fundamental en circuitos electrónicos que requieren un mayor rendimiento y fiabilidad. Su baja resistencia a la conexión y su gran capacidad de manejo de corriente contribuyen a la eficiencia energética y a la estabilidad del sistema en aplicaciones eléctricas y de automatización.
Características y ventajas
• La baja Rds(on) mejora la eficiencia energética
• Corriente de drenaje continua de 5,8 A para un rendimiento eficaz
• La tensión de drenaje-fuente máxima de 30 V garantiza la durabilidad
• El diseño de montaje en superficie permite diseños compactos y eficientes
• El rango de temperaturas de funcionamiento de -55°C a +150°C mejora la adaptabilidad
Aplicaciones
• Se utiliza en inversores de motor de CC alimentados por batería
• Se emplea para la conmutación de sistemas o cargas en circuitos variados
• Aplicable a las operaciones de accionamiento dentro de los sistemas de automatización
• Se utiliza en sistemas de gestión de la energía para mejorar la eficiencia
¿Cómo se comporta este componente a temperaturas extremas?
Funciona eficazmente en una amplia gama de temperaturas, de -55 °C a +150 °C, lo que garantiza su fiabilidad en diversos entornos.
¿Cuál es la ventaja de la baja resistencia a la conexión?
Un valor bajo de Rds(on) disminuye la pérdida de potencia en las aplicaciones, lo que se traduce en una mejora de la eficiencia global y del rendimiento térmico.
¿Puede este dispositivo manejar corrientes pulsadas?
Sí, puede gestionar eficazmente corrientes de drenaje pulsadas, lo que lo hace adecuado para aplicaciones dinámicas en electrónica.
¿Cómo se monta en los circuitos?
El dispositivo está diseñado para aplicaciones de montaje en superficie, lo que facilita un montaje compacto y un aprovechamiento eficaz del espacio en las placas de circuito impreso.
¿Qué consideraciones deben tenerse en cuenta al manipular este componente?
Los usuarios deben garantizar un manejo adecuado debido a su sensibilidad a los niveles de tensión, respetando los límites máximos especificados de tensión puerta-fuente.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, TSOP de 6 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, TSOP de 6 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, TSOP de 6 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, TSOP de 6 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, TSOP de 6 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, TSOP de 6 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, TSOP de 6 pines
- MOSFET Infineon VDSS 30 V TSOP 2, config. Aislado
