MOSFET Infineon BSL308PEH6327XTSA1, VDSS 30 V, ID 2 A, TSOP-6 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 165-5552
Nº ref. fabric.:: BSL308PEH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSL308PEH6327XTSA1, VDSS 30 V, ID 2 A, TSOP-6 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 17/12/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,216 €

(exc. IVA)

0,261 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 - 3000	0,216 €	648,00 €
6000 +	0,205 €	615,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 165-5552
Nº ref. fabric.:: BSL308PEH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

BSL308PE, OptiMOS P3 Small-Signal-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Serie	OptiMOS P
Tipo de Encapsulado	TSOP-6
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	130 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	500 mW
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	2
Ancho	1.6mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	2.9mm
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	5 nC a 10 V
Tensión de diodo directa	1.1V
Altura	1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Infineon BSL308PEH6327XTSA1, VDSS 30 V, ID 2 A, TSOP-6 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon