MOSFET Infineon, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 2 A, TSOP, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

Código RS:: 165-5552
Nº ref. fabric.:: BSL308PEH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 2 A, TSOP, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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Unidad(es)	Por unidad	Por Bobina*
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*precio indicativo

Código RS:: 165-5552
Nº ref. fabric.:: BSL308PEH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	2A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Serie	OptiMOS P
	Encapsulado	TSOP
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	130mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	-0.8V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	-5nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	500mW
	Configuración de transistor	Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	1.6 mm
	Altura	1mm
	Longitud	2.9mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 2A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Serie OptiMOS P
	Encapsulado TSOP
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 130mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf -0.8V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs -5nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 500mW
	Configuración de transistor Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 1.6 mm
	Altura 1mm
	Longitud 2.9mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción AEC-Q101

COO (País de Origen):: CN

MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon

Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.

Modo de mejora

Avalancha nominal

Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación

Chapado sin plomo; compatible con RoHS

Encapsulados estándar

Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

MOSFET Infineon, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 2 A, TSOP, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €

MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon

Transistores MOSFET, Infineon

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