MOSFET Infineon, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 2 A, TSOP, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 165-5552
- Nº ref. fabric.:
- BSL308PEH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 165-5552
- Nº ref. fabric.:
- BSL308PEH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Encapsulado | TSOP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 130mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500mW | |
| Tensión directa Vf | -0.8V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | -5nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20, +20V | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1mm | |
| Anchura | 1.6mm | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie OptiMOS P | ||
Encapsulado TSOP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 130mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500mW | ||
Tensión directa Vf -0.8V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs -5nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20, +20V | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1mm | ||
Anchura 1.6mm | ||
Longitud 2.9mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de la serie OptiMOS P de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 2 A - BSL308PEH6327XTSA1
Este MOSFET es un transistor de mejora de canal P diseñado para aplicaciones de montaje en superficie en electrónica de automoción e industrial. Proporciona funcionalidad de dispositivo conmutado para entornos de alta temperatura y se suministra en un encapsulado TSOP compacto de 6 contactos con elementos dobles en un único chip, adecuado para conjuntos de circuitos con limitaciones de espacio.
Características y ventajas:
• La baja resistencia de encendido de 130 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• Valor nominal para una tensión de fuente de drenaje de 30 V que permite el uso de un sistema de 30 V
• La capacidad de corriente de drenaje continua de 2 A admite cargas moderadas
• Carga de puerta típica de -5 nC a Vgs para una respuesta de conmutación más rápida
• La disipación de potencia de 500 mW permite un manejo térmico fiable
• Cualificado conforme a AEC-Q101 para rendimiento de tensión de automoción
• Valor nominal para una tensión de fuente de drenaje de 30 V que permite el uso de un sistema de 30 V
• La capacidad de corriente de drenaje continua de 2 A admite cargas moderadas
• Carga de puerta típica de -5 nC a Vgs para una respuesta de conmutación más rápida
• La disipación de potencia de 500 mW permite un manejo térmico fiable
• Cualificado conforme a AEC-Q101 para rendimiento de tensión de automoción
Aplicaciones
• Apto para interruptores de alimentación de automoción de alta temperatura
• Ideal para conmutar cargas en sistemas de gestión de baterías
• Se utiliza con convertidores dc-dc que requieren dispositivos de canal P
• Puede utilizarse para circuitos de protección de polaridad de doble canal
• Adecuado para placas de distribución de potencia compactas de montaje en superficie
• Ideal para conmutar cargas en sistemas de gestión de baterías
• Se utiliza con convertidores dc-dc que requieren dispositivos de canal P
• Puede utilizarse para circuitos de protección de polaridad de doble canal
• Adecuado para placas de distribución de potencia compactas de montaje en superficie
¿Qué límites de tensión de puerta debo observar para un funcionamiento seguro?
La tensión de puerta a fuente no debe superar 20 V en ninguna polaridad para evitar la tensión del dispositivo.
¿Cuántos transistores contiene el chip y qué permite?
Hay dos elementos de canal P por chip, lo que permite la conmutación en pares o diseños de dos canales simplificados.
¿Qué rango de temperatura ambiente puede soportar el dispositivo durante el funcionamiento?
Está especificado para funcionar de –55 a 150 °C para aplicaciones con temperaturas de unión elevadas.
¿Cómo afecta el encapsulado a la colocación y el enrutamiento de la placa?
El encapsulado de superficie TSOP de 6 contactos minimiza el tamaño de la placa y simplifica el enrutamiento térmico y de señal para diseños compactos.
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