MOSFET Infineon BSL215CH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 1,5 A, TSOP-6 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 166-1086
Nº ref. fabric.:: BSL215CH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSL215CH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 1,5 A, TSOP-6 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

64020 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,168 €

(exc. IVA)

0,203 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 +	0,168 €	504,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 166-1086
Nº ref. fabric.:: BSL215CH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: MY

Datos del Producto

MOSFET de potencia doble Infineon OptiMOS™

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	1,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Serie	OptiMOS™
Tipo de Encapsulado	TSOP-6
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	250 MΩ, 280 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	0.6 V, 1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima	0.7 V, 1.2V
Disipación de Potencia Máxima	500 mW
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-12 V, +12 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Longitud	2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	0,73 nC a 4,5 V, 3 nC a 5 V
Ancho	1.6mm
Número de Elementos por Chip	2
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	1.1V
Altura	1mm