MOSFET Infineon, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 1.5 A, TSOP, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
166-1086
Nº ref. fabric.:
BSL215CH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

TSOP

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

280mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

500mW

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

3nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Tensión directa Vf

0.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Aislado

Anchura

1.6 mm

Altura

1mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

2.9mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
MY

MOSFET de potencia doble Infineon OptiMOS™


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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