MOSFET Infineon, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 1.5 A, TSOP, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

Código RS:: 166-1086
Nº ref. fabric.:: BSL215CH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 1.5 A, TSOP, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:: 166-1086
Nº ref. fabric.:: BSL215CH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P, Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	1.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Encapsulado	TSOP
	Serie	OptiMOS
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	280mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	500mW
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	3nC
	Tensión directa Vf	0.8V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	-12, +12V
	Configuración de transistor	Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	1mm
	Longitud	2.9mm
	Anchura	1.6mm
	Certificaciones y estándares	No
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P, Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 1.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Encapsulado TSOP
	Serie OptiMOS
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 280mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 500mW
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3nC
	Tensión directa Vf 0.8V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta -12, +12V
	Configuración de transistor Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 1mm
	Longitud 2.9mm
	Anchura 1.6mm
	Certificaciones y estándares No
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción AEC-Q101

COO (País de Origen):: MY

MOSFET de la serie OptiMOS de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 20 V, corriente de drenaje continua máxima de 1,5 A - BSL215CH6327XTSA1

Este MOSFET es un dispositivo de transistor de potencia compacto de montaje en superficie diseñado para conmutación y amplificación en contextos industriales y de automoción. Consta de elementos de transistor emparejados en una configuración aislada para admitir aplicaciones complementarias en las que se requiere funcionamiento tanto de canal P como de canal N. El componente está diseñado para su uso en placas de circuito impreso donde un tamaño pequeño y una fiabilidad específica para el sector son importantes.

Características y ventajas:

• La baja carga de puerta de 3 nC permite un rendimiento de conmutación más rápido
• La corriente de drenaje continua máxima de 1,5 A admite circuitos de carga moderada
• La resistencia de drenaje-fuente de 280 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• Valor nominal para tensión de drenaje-fuente de 20 V para sistemas de baja tensión
• La disipación de potencia de 500 mW gestiona la carga térmica en diseños compactos
• Cualificado conforme a AEC-Q101 para una mayor tolerancia a la tensión en automoción

Aplicaciones

• Apto para circuitos de conmutación y control de señales de automoción
• Se utiliza con módulos de gestión de baterías y distribución de potencia
• Ideal para convertidores dc-dc compactos y reguladores de tensión
• Se puede utilizar para conmutar cargas en subsistemas de infoentretenimiento
• Adecuado para etapas de controlador de motor integradas

¿En qué intervalo de temperatura puede funcionar de manera fiable?

Funciona entre –55 y 150 °C, lo que permite su uso desde arranques en frío hasta altas temperaturas por debajo de la capota.

¿Cuántos elementos de transistor se proporcionan en el chip?

El dispositivo contiene dos elementos por chip dispuestos en una configuración aislada para topologías de circuito flexibles.

¿Qué encapsulado y número de pines deben planificar los diseñadores?

Se suministra en un encapsulado TSOP con seis contactos para montaje en superficie y planificación de diseño.

¿Qué límites de tensión de salida y salida deben respetarse?

La tensión máxima de fuente de puerta es de 12 V y la tensión directa es de 0,8 V para consideraciones de conducción de diodos.