MOSFET Infineon, Tipo P-Canal BSL308PEH6327XTSA1, VDSS 30 V, ID 2 A, TSOP, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
892-2172
Número de artículo Distrelec:
304-44-410
Nº ref. fabric.:
BSL308PEH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

OptiMOS P

Encapsulado

TSOP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

130mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

-5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

500mW

Tensión directa Vf

-0.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Aislado

Longitud

2.9mm

Anchura

1.6 mm

Altura

1mm

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon


Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.

Modo de mejora

Avalancha nominal

Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación

Chapado sin plomo; compatible con RoHS

Encapsulados estándar

Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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