MOSFET Infineon, Tipo N, Tipo P-Canal BSL316CH6327XTSA1, VDSS 30 V, ID 1.5 A, TSOP-6, Mejora de 6 pines, 2, config.
- Código RS:
- 110-7129
- Número de artículo Distrelec:
- 304-36-975
- Nº ref. fabric.:
- BSL316CH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (60 unidades, en pack de 60)*
14,70 €
(exc. IVA)
17,76 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
- Disponible(s) 30.900 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 60 + | 0,245 € | 14,70 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 110-7129
- Número de artículo Distrelec:
- 304-36-975
- Nº ref. fabric.:
- BSL316CH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | TSOP-6 | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 280mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.4nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500mW | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20, +20V | |
| Tensión directa Vf | 0.86V | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.6mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N, Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado TSOP-6 | ||
Serie OptiMOS™ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 280mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.4nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500mW | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20, +20V | ||
Tensión directa Vf 0.86V | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 2.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.6mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de la serie OptiMOSTM de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 1,5 A - BSL316CH6327XTSA1
Características y ventajas:
• La resistencia de drenaje a fuente de 280 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• Carga de puerta típica de 2.4 nC para un control de puerta eficiente
• Corriente de drenaje continua de 1,5 A para cargas de corriente moderadas
• La disipación de potencia de 500 mW evita el sobrecalentamiento en diseños compactos
• La certificación AEC-Q101 garantiza la idoneidad para uso en automoción
Aplicaciones
• Se utiliza para etapas de accionamiento push-pull complementarias
• Ideal para la gestión de potencia SMD en placas de control
• Puede utilizarse para protección de baterías y desconexiones de carga
• Apto para módulos de automoción sensibles a la temperatura
¿Qué número de contactos y tipo de encapsulado utiliza?
¿Cómo se comporta a distintas temperaturas?
¿Es el dispositivo de un elemento o de varios?
¿Qué límites de tensión de puerta deben respetarse?
Enlaces relacionados
- MOSFET Infineon Tipo P-Canal BSL316CH6327XTSA1 ID 1.5 A Mejora de 6 pines config.
- MOSFET Infineon Tipo N-Canal BSL215CH6327XTSA1 ID 1.5 A Mejora de 6 pines config.
- MOSFET Infineon VDSS 30 V TSOP 2, config. Aislado
- MOSFET Infineon Tipo N-Canal ID 1.5 A Mejora de 6 pines config. Aislado
- MOSFET Infineon VDSS 30 V TSOP 2, config. Aislado
- Conjuntos MOSFET Infineon Tipo N-Canal ID 2.3 A Mejora de 6 pines config. Doble
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, TSOP de 6 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, TSOP de 6 pines
