MOSFET Infineon BSL316CH6327XTSA1, VDSS 30 V, ID 1,4 A, 1,5 A, TSOP-6 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 166-1082
Nº ref. fabric.:: BSL316CH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSL316CH6327XTSA1, VDSS 30 V, ID 1,4 A, 1,5 A, TSOP-6 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,173 €

(exc. IVA)

0,209 €

(inc.IVA)

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 +	0,173 €	519,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 166-1082
Nº ref. fabric.:: BSL316CH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: MY

Datos del Producto

MOSFET de potencia doble Infineon OptiMOS™

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	1,4 A, 1,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	TSOP-6
Serie	OptiMOS™
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	270 MΩ, 280 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	500 mW
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	2
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	0,6 nC a 5 V, 2,4 nC a 5 V
Longitud	2.9mm
Ancho	1.6mm
Material del transistor	Si
Altura	1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	1.1V