MOSFET Infineon BSS223PWH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 310 mA, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 165-5861
Nº ref. fabric.:: BSS223PWH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSS223PWH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 310 mA, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple

15000 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,052 €

(exc. IVA)

0,063 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 - 3000	0,052 €	156,00 €
6000 - 12000	0,05 €	150,00 €
15000 +	0,046 €	138,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 165-5861
Nº ref. fabric.:: BSS223PWH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon

Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.

Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	310 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	SOT-323
Serie	OptiMOS P
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	2,1 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima	0.6V
Disipación de Potencia Máxima	250 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-12 V, +12 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	1.25mm
Longitud	2mm
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	0,5 nC a 4,5 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	0.8mm