MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSS223PWH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 310 mA, Mejora, SC-70 de 3 pines

Código RS:: 165-5861
Nº ref. fabric.:: BSS223PWH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSS223PWH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 310 mA, Mejora, SC-70 de 3 pines

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Código RS:: 165-5861
Nº ref. fabric.:: BSS223PWH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	310mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Serie	OptiMOS P
	Encapsulado	SC-70
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	2.1Ω
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	0.5nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	-12V, +12V
	Disipación de potencia máxima Pd	250mW
	Tensión directa Vf	-1V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	1.25mm
	Longitud	2mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	800μm
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 310mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Serie OptiMOS P
	Encapsulado SC-70
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.1Ω
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.5nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta -12V, +12V
	Disipación de potencia máxima Pd 250mW
	Tensión directa Vf -1V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 1.25mm
	Longitud 2mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 800μm
	Estándar de automoción AEC-Q101

COO (País de Origen):: CN

MOSFET Infineon OptiMOS serie P, corriente de drenaje continua máxima de 310 mA, disipación de potencia máxima de 250 mW - BSS223PWH6327XTSA1

Este MOSFET es un elemento crucial en los circuitos electrónicos, ya que actúa como interruptor o amplificador en numerosas aplicaciones. Su diseño de canal P y sus características de modo de mejora permiten un control eficaz de la corriente en sistemas electrónicos montados en superficie. La capacidad de funcionamiento a altas temperaturas del componente lo hace idóneo para aplicaciones industriales y de automoción en las que es esencial el rendimiento en condiciones extremas.

Características y ventajas

• Mejora la eficiencia con una baja resistencia a la conexión de 1,2Ω

• Admite operaciones a altas temperaturas de hasta 150 °C

• Proporciona un rendimiento robusto con una tensión nominal máxima de 20 V

• Adecuado para conmutación de alta velocidad con tiempos de retardo mínimos

• Cumple las normas AEC-Q101 para aplicaciones de automoción

• Funcionamiento constante con características de baja carga de puerta

Aplicaciones

• Cargas motrices en automoción

• Utilizado en sistemas de gestión de baterías para vehículos eléctricos

• Implementado en circuitos de gestión de energía para electrónica de consumo

• Empleado en amplificadores para dispositivos de audio y electrónicos

• Se aplica en diversos sistemas de automatización que requieren una conmutación eficaz

¿Cuál es la corriente máxima que puede soportar el componente?

La corriente de drenaje continua máxima que puede manejar es de 310 mA a 25 °C, lo que garantiza un funcionamiento fiable en condiciones específicas.

¿Cómo se optimiza este componente para entornos de altas temperaturas?

Está diseñado para soportar temperaturas de funcionamiento de hasta +150 °C, lo que lo hace idóneo para su uso en aplicaciones exigentes.

¿Qué tipo de montaje admite este transistor?

Este componente está destinado al montaje en superficie, lo que facilita su integración en sistemas electrónicos compactos.

¿Cumple alguna norma de automoción?

Sí, está cualificado según la norma AEC-Q101, que cumple estrictas normas de fiabilidad para aplicaciones de automoción.

MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon

Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.

Modo de mejora

Avalancha nominal

Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación

Chapado sin plomo; compatible con RoHS

Encapsulados estándar

Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.