MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 310 mA, Mejora, SC-70 de 3 pines
- Código RS:
- 826-9991
- Número de artículo Distrelec:
- 304-44-427
- Nº ref. fabric.:
- BSS223PWH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 bobina de 500 unidades)*
45,00 €
(exc. IVA)
55,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Disponible(s) 1500 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 500 - 500 | 0,09 € | 45,00 € |
| 1000 - 2000 | 0,085 € | 42,50 € |
| 2500 - 4500 | 0,082 € | 41,00 € |
| 5000 - 12000 | 0,076 € | 38,00 € |
| 12500 + | 0,072 € | 36,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 826-9991
- Número de artículo Distrelec:
- 304-44-427
- Nº ref. fabric.:
- BSS223PWH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 310mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Encapsulado | SC-70 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.1Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250mW | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.8mm | |
| Anchura | 1.25mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 2mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 310mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie OptiMOS P | ||
Encapsulado SC-70 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.1Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250mW | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.8mm | ||
Anchura 1.25mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 2mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon OptiMOS serie P, corriente de drenaje continua máxima de 310 mA, disipación de potencia máxima de 250 mW - BSS223PWH6327XTSA1
Este MOSFET es un elemento crucial en los circuitos electrónicos, ya que actúa como interruptor o amplificador en numerosas aplicaciones. Su diseño de canal P y sus características de modo de mejora permiten un control eficaz de la corriente en sistemas electrónicos montados en superficie. La capacidad de funcionamiento a altas temperaturas del componente lo hace idóneo para aplicaciones industriales y de automoción en las que es esencial el rendimiento en condiciones extremas.
Características y ventajas
• Mejora la eficiencia con una baja resistencia a la conexión de 1,2Ω
• Admite operaciones a altas temperaturas de hasta 150 °C
• Proporciona un rendimiento robusto con una tensión nominal máxima de 20 V
• Adecuado para conmutación de alta velocidad con tiempos de retardo mínimos
• Cumple las normas AEC-Q101 para aplicaciones de automoción
• Funcionamiento constante con características de baja carga de puerta
Aplicaciones
• Cargas motrices en automoción
• Utilizado en sistemas de gestión de baterías para vehículos eléctricos
• Implementado en circuitos de gestión de energía para electrónica de consumo
• Empleado en amplificadores para dispositivos de audio y electrónicos
• Se aplica en diversos sistemas de automatización que requieren una conmutación eficaz
¿Cuál es la corriente máxima que puede soportar el componente?
La corriente de drenaje continua máxima que puede manejar es de 310 mA a 25 °C, lo que garantiza un funcionamiento fiable en condiciones específicas.
¿Cómo se optimiza este componente para entornos de altas temperaturas?
Está diseñado para soportar temperaturas de funcionamiento de hasta +150 °C, lo que lo hace idóneo para su uso en aplicaciones exigentes.
¿Qué tipo de montaje admite este transistor?
Este componente está destinado al montaje en superficie, lo que facilita su integración en sistemas electrónicos compactos.
¿Cumple alguna norma de automoción?
Sí, está cualificado según la norma AEC-Q101, que cumple estrictas normas de fiabilidad para aplicaciones de automoción.
MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon
Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.
Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET115 ID 310 mA SC-70 de 3 pines
- MOSFET115 ID 310 mA SC-70 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SC-70 de 3 pines