MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSS84PWH6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 150 mA, Mejora, SC-70 de 3 pines
- Código RS:
- 145-8835
- Nº ref. fabric.:
- BSS84PWH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,044 € | 132,00 € |
| 6000 - 12000 | 0,042 € | 126,00 € |
| 15000 + | 0,039 € | 117,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 145-8835
- Nº ref. fabric.:
- BSS84PWH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 150mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SC-70 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 25Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -1.12V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.25mm | |
| Altura | 800μm | |
| Longitud | 2mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 150mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SC-70 | ||
Serie SIPMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 25Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -1.12V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.25mm | ||
Altura 800μm | ||
Longitud 2mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de la serie SIPMOS de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 60 V, corriente de drenaje continua máxima de 150 mA - BSS84PWH6327XTSA1
Características y ventajas:
• La corriente de drenaje continua de 150 mA admite circuitos de baja potencia
• La Rds máxima de 25 Ω reduce las pérdidas en la conmutación de carga ligera
• La disipación de potencia de 300 mW permite un manejo térmico sostenido
• La tolerancia de puerta de 20 V permite niveles de accionamiento de puerta flexibles
• La carga de puerta típica de 1 nC proporciona una conmutación rápida y de baja energía
Aplicaciones
• Ideal para el cambio de nivel en circuitos de interfaz de sensor
• Se utiliza con gestión de baterías para vías de baja corriente
• Puede utilizarse para conmutación de protección en unidades telemáticas
• Adecuado para vías de alimentación de electrónica de consumo compactas
¿Qué rango ambiental puede tolerar en sistemas desplegados?
¿Qué encapsulado es adecuado para diseños de PCB de alta densidad?
¿Cómo afecta la carga de puerta a los requisitos de accionamiento?
¿Es compatible con los estándares de fiabilidad de automoción?
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