MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 1.4 A, Mejora, SC-70 de 3 pines
- Código RS:
- 166-0980
- Nº ref. fabric.:
- BSS816NWH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
168,00 €
(exc. IVA)
204,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 30.000 unidad(es) más para enviar a partir del 12 de octubre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,056 € | 168,00 € |
| 6000 - 12000 | 0,054 € | 162,00 € |
| 15000 + | 0,05 € | 150,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 166-0980
- Nº ref. fabric.:
- BSS816NWH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Encapsulado | SC-70 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 240mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -8V, +8V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 1.25mm | |
| Altura | 800μm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 2mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Encapsulado SC-70 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 240mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -8V, +8V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 1.25mm | ||
Altura 800μm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 2mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- MY
MOSFET de la serie OptiMOS 2 de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 20 V, corriente de drenaje continua máxima de 1,4 A - BSS816NWH6327XTSA1
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N compacto diseñado para conmutación de baja tensión en sistemas electrónicos industriales y de automoción. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para aplicaciones de montaje en superficie en las que se requiere un tamaño reducido y un manejo de potencia modesto.
Características y ventajas:
• La baja resistencia de encendido de 240 mΩ reduce las pérdidas por conducción y el calor
• La corriente de drenaje máxima de 1,4 A permite la conmutación de carga moderada
• La tensión nominal de drenaje-fuente de 20 V admite carriles de automoción típicos
• La carga de puerta de 0,6 nC permite un accionamiento de puerta más rápido y una pérdida de conmutación reducida
• La disipación de potencia de 500 mW permite un funcionamiento sostenido con carga ligera
• El límite de fuente de puerta de 8 V protege contra tensiones de accionamiento excesivas
• La corriente de drenaje máxima de 1,4 A permite la conmutación de carga moderada
• La tensión nominal de drenaje-fuente de 20 V admite carriles de automoción típicos
• La carga de puerta de 0,6 nC permite un accionamiento de puerta más rápido y una pérdida de conmutación reducida
• La disipación de potencia de 500 mW permite un funcionamiento sostenido con carga ligera
• El límite de fuente de puerta de 8 V protege contra tensiones de accionamiento excesivas
Aplicaciones
• Apto para etapas de conmutación en módulos de sensores de automoción
• Ideal para conmutación de carga en circuitos auxiliares de 12 V
• Se utiliza con periféricos de gestión de batería que requieren un tamaño pequeño
• Puede utilizarse para el control de potencia de nivel de señal en sistemas de infoentretenimiento
• Aplicable a etapas de puerta de accionamiento de motor compactas para corrientes bajas
• Ideal para conmutación de carga en circuitos auxiliares de 12 V
• Se utiliza con periféricos de gestión de batería que requieren un tamaño pequeño
• Puede utilizarse para el control de potencia de nivel de señal en sistemas de infoentretenimiento
• Aplicable a etapas de puerta de accionamiento de motor compactas para corrientes bajas
¿Qué encapsulado es adecuado para diseños de placas de alta densidad?
Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie SC-70 que minimiza el área de la placa y admite la colocación automatizada.
¿Cómo funciona a temperaturas ambiente elevadas?
El dispositivo está especificado para funcionar desde -40 °C hasta 175 °C, lo que permite su uso en entornos térmicos hostiles típicos de ubicaciones de automoción con capota inferior.
¿Qué rango de tensión de accionamiento debe aplicarse a la puerta?
La tensión máxima permitida de puerta a fuente es de 8 V, por lo que los controladores de puerta deben seleccionarse para permanecer dentro de este límite.
¿Cómo equilibra el dispositivo la velocidad de conmutación y la energía de accionamiento de la puerta?
Con una carga de puerta típica de 0,6 nC, requiere una energía relativamente baja para conmutar, lo que ayuda a la eficiencia en sistemas con transiciones repetitivas.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SC-70 de 3 pines