MOSFET Infineon BSS138WH6433XTMA1, VDSS 60 V, ID 280 mA, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 165-5731
Nº ref. fabric.:: BSS138WH6433XTMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSS138WH6433XTMA1, VDSS 60 V, ID 280 mA, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 31/03/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 10000)

0,046 €

(exc. IVA)

0,056 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
10000 - 10000	0,046 €	460,00 €
20000 - 20000	0,044 €	440,00 €
30000 +	0,041 €	410,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 165-5731
Nº ref. fabric.:: BSS138WH6433XTMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	280 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Serie	SIPMOS®
Tipo de Encapsulado	SOT-323
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	6 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1.4V
Tensión de umbral de puerta mínima	0.6V
Disipación de Potencia Máxima	500 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	1 nC a 10 V
Ancho	1.25mm
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	2mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	0.8mm