MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 280 mA, Mejora, SC-70 de 3 pines
- Código RS:
- 826-9282
- Nº ref. fabric.:
- BSS138WH6433XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 bobina de 500 unidades)*
47,00 €
(exc. IVA)
57,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 21 de enero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 500 - 500 | 0,094 € | 47,00 € |
| 1000 - 2000 | 0,067 € | 33,50 € |
| 2500 - 4500 | 0,062 € | 31,00 € |
| 5000 - 12000 | 0,058 € | 29,00 € |
| 12500 + | 0,047 € | 23,50 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 826-9282
- Nº ref. fabric.:
- BSS138WH6433XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 280mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Encapsulado | SC-70 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500mW | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 0.85V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 1.25mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 2mm | |
| Altura | 0.8mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 280mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie SIPMOS | ||
Encapsulado SC-70 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500mW | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 0.85V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 1.25mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 2mm | ||
Altura 0.8mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-70 de 3 pines