MOSFET, N-Canal Infineon BSS214NWH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 1.5 A, Mejora, SC-70 de 3 pines
- Código RS:
- 165-5863
- Nº ref. fabric.:
- BSS214NWH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
282,00 €
(exc. IVA)
342,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 3000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,094 € | 282,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 165-5863
- Nº ref. fabric.:
- BSS214NWH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | SC-70 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 250mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500mW | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.8nC | |
| Tensión directa Vf | 800mV | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -12V, +12V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 800μm | |
| Longitud | 2mm | |
| Anchura | 1.25mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado SC-70 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 250mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500mW | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.8nC | ||
Tensión directa Vf 800mV | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -12V, +12V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 800μm | ||
Longitud 2mm | ||
Anchura 1.25mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de la serie OptiMOS de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 20 V, corriente de drenaje continua máxima de 1,5 A - BSS214NWH6327XTSA1
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N compacto diseñado para la conmutación y gestión de potencia de montaje en superficie en conjuntos electrónicos restringidos. Funciona en un amplio rango ambiente adecuado para condiciones de temperatura exigentes y está diseñado para aplicaciones de baja tensión y baja corriente en las que se requiere una conducción eficiente y una respuesta de puerta rápida.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje-fuente de 20 V permite diseños de potencia de baja tensión
• La Rds(on) de 250 mΩ reduce las pérdidas de conducción en las vías de conmutación
• La carga de puerta típica de 0,8 nC admite transiciones de puerta rápidas
• La corriente de drenaje continua de 1,5 A gestiona corrientes de carga modestas
• La disipación máxima de 500 mW permite un rango térmico seguro
• El umbral de puerta de 12 V maximiza la flexibilidad del accionamiento de puerta
• La Rds(on) de 250 mΩ reduce las pérdidas de conducción en las vías de conmutación
• La carga de puerta típica de 0,8 nC admite transiciones de puerta rápidas
• La corriente de drenaje continua de 1,5 A gestiona corrientes de carga modestas
• La disipación máxima de 500 mW permite un rango térmico seguro
• El umbral de puerta de 12 V maximiza la flexibilidad del accionamiento de puerta
Aplicaciones
• Adecuado para conmutación de alimentación de sensor de automoción
• Ideal para la gestión de baterías y desconexiones de carga
• Se utiliza con lógica de control en módulos de potencia distribuida
• Se puede utilizar para pequeñas etapas de convertidor dc-dc
• Adecuado para la conmutación de ruta de alimentación de dispositivos portátiles
• Ideal para la gestión de baterías y desconexiones de carga
• Se utiliza con lógica de control en módulos de potencia distribuida
• Se puede utilizar para pequeñas etapas de convertidor dc-dc
• Adecuado para la conmutación de ruta de alimentación de dispositivos portátiles
¿Qué rango térmico puede tolerar en entornos extremos?
Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, lo que permite su uso en zonas de automoción de alta temperatura.
¿Qué tan compacto es para diseños de placas de alta densidad?
El componente se suministra en un pequeño encapsulado de montaje en superficie SC-70 de 2 mm por 1,25 mm con un perfil bajo de 0,8 mm.
¿Qué límites de accionamiento de puerta deben observar los diseñadores?
La tensión de fuente de puerta no debe superar 12 V para evitar sobretensión del dieléctrico de puerta.
¿Cómo se comporta el dispositivo con carga continua?
Admite una corriente de drenaje constante de 1,5 A al tiempo que disipa hasta 500 mW dentro de sus limitaciones térmicas.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SC-70 de 3 pines