MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 200 V, ID 18 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 165-6596
- Nº ref. fabric.:
- STD25NF20
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
2.922,50 €
(exc. IVA)
3.535,00 €
(inc.IVA)
Añade 2500 unidades para conseguir entrega gratuita
Agotado temporalmente
- Envío desde el 17 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 1,169 € | 2.922,50 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 165-6596
- Nº ref. fabric.:
- STD25NF20
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 18A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | STripFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 125mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 28nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Anchura | 6.2 mm | |
| Altura | 2.4mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 18A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie STripFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 125mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 28nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.6mm | ||
Anchura 6.2 mm | ||
Altura 2.4mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 710 V Mejora, TO-252 de 3 pines