MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 12 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 210-8741
- Nº ref. fabric.:
- STD15N60DM6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
2.552,50 €
(exc. IVA)
3.087,50 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 18 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 1,021 € | 2.552,50 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 210-8741
- Nº ref. fabric.:
- STD15N60DM6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 338mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15.3nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 2.4mm | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 6.2 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 338mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15.3nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 2.4mm | ||
Longitud 6.6mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 6.2 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
STMicroelectronics de potencia de canal N de alta tensión que forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida Mesh DM6. En comparación con la generación rápida Mesh anterior, el DM6 combina una carga de recuperación (Qrr) muy baja, tiempo de recuperación (trr) y una mejora excelente en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y convertidores de cambio de fase ZVS.
Diodo de cuerpo de recuperación rápida
Menor RDS(on) por área frente a la generación anterior
Carga de puerta baja, capacitancia de entrada y resistencia
100 % a prueba de avalancha
Resistencia dv/dt extremadamente alta
Protección Zener
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-252 de 3 pines